O transistor 3D "Tri-Gate" de 22 nanômetros da Intel é tentativa de aumentar participação da empresa no mercado de telefones móveis. Novo formato tem terceira DIMENSÃO com "torre magra" de silício
Foto: Intel/ReproduçãoA Intel anunciou em entrevista coletiva, em San Francisco, nesta quarta-feira que fabricará transistores com nova estrutura 3D. O componente de microprocessadores é chamado de Tri-Gate e apresenta uma estrutura de silício com a terceira dimensão, com uma "torre magra no centro". O componente agora tem 22 nanômetros e deve começar a ser fabricado para lançamento em 2012, sem data definida.
Segundo a Intel, os transistores tridimensionais Tri-Gate apresentam uma melhora de até 37% no desempenho dos processadores quando usado em baixa voltagem comparado aos transistores de 32 nanômetros - a tecnologia anterior da companhia. A estratégia da Intel com o novo transistor é ficar mais competitiva no setor de tablets e smartphones.
"Os ganhos de desempenho e a economia de energia não são comparados a nada já visto", afirmou Mark Bohr, Senior Fellow da Intel. Os "tecnólogos" da Intel ainda prometeram que o novo componente pode gerar economia de energia em até 50% se usado em baixa voltagem.
Apesar dos ganhos em energia e desempenho, o custo do transistor aumentará de 2% a 3%."Acreditamos que essa inovação ampliará ainda mais a liderança da Intel sobre o resto da indústria de semicondutores", diise Bohr.
A Intel já havia anunciado o transistor em 2002, mas ainda não podia fabricar em larga escala. A empresa acredita que agora poderá fabricar até seis milhões de novos componentes.
A expectativa também é de que essa inovação auxilie na criação de novos produtos integrados baseados no processador Intel Atom.
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